인텔·소프트뱅크, 차세대 저전력 메모리 공동 개발 착수 > 경제뉴스

ZAM 프로그램 출범…적층 기술로 전력 효율 개선

인텔이 소프트뱅크 자회사 사이메모리와 손잡고 차세대 메모리 기술을 공동 개발한다.

니혼게이자이신문에 따르면 양사는 도쿄에서 열린 기술 행사에서 ‘ZAM(Z-Angle Memory)’

프로그램을 공식 발표했다.

인텔은 핵심 기반인 적층 기술을 제공하고, 사이메모리는 2027회계연도까지

약 80억 엔을 투입해 시제품을 개발한 뒤 2029회계연도 내 상용화를 목표로 한다.

이 프로젝트에는 소프트뱅크의 출자와 함께 후지쓰, 이화학연구소가

공동 투자자로 참여하며, 일본 경제산업성 산하 NEDO도 재정 지원을 검토 중이다.

AI·HPC 수요 대응…HBM 대안 가능성 제시

ZAM 프로그램은 인공지능과 고성능 컴퓨팅 확산으로 급증한 데이터 연산 수요에

대응하기 위해 기존 메모리 대비 전력 소비를 절반 수준으로 낮추는 것을 목표로 한다.

이 기술은 칩을 평면 배치하는 대신 기능별 칩을 수직으로 적층해

연산 장치와 메모리 간 거리를 줄이는 구조로, 인텔이 DARPA 지원을 받아 개발해왔다.

인텔은 이를 통해 현재 AI 반도체에 주로 쓰이는 고대역폭메모리(HBM)보다

비용 경쟁력이 높은 대안을 제시할 수 있을 것으로 보고 있다.

업계에서는 이번 협력이 전력 효율과 공급 안정성 측면에서

기존 메모리 구조의 한계를 보완할 수 있을지 주목하고 있다.